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简单写一些覆膜工艺（真的不想更新了）
覆膜，其实全称是薄膜沉积，，在集成电路制备中很多薄膜材料都是由淀积工艺形成的
主流的三大种类
半导体薄膜:Si（单晶薄膜例如Si/SiGe（外延：就是在单晶sub上再生长一层新的单晶层，晶向取决于sub，例如在外延层的双阱cmos）
介质薄膜：SiO2,Si3N4，BPSG
金属薄膜：Al，Cu，W，Ti
目前主流的两大方向：化学气相淀积（CVD(Chemical Vapor Deposition）/物理气相淀积（PVD)Physical Vapor Deposition）
化学气相淀积其实就是用一种或者数种物质的气体，用某些方式激活后，在sub表面发生化学反应，并淀积出所需要的固体薄膜（film层），主流方式例如APCVD（常压气相淀积），LPCVD(Low Presure CVD（低压CVD)，PECVD(plasma Enhanced CVD（等离子体增强淀积CVD)等
物理气相淀积则是利用某种物理过程实现物质的转移，将原子/分子转移到sub底上，并淀积薄膜，主流方式例如蒸发（evaporation）溅射（sputtering）
出了cvd和pvd以外还可以用旋涂工艺（Spin on）或镀（electroless plating）（例如铜互连技术就是用电镀工艺制作的）
对薄膜的要求无外乎这几点：组分正确，沾污少，片内及片间均匀性要好，台阶覆盖性好，保角覆盖，填充性/平整性好
在CVD中，必须满足三个条件
在淀积温度下其反应剂必须具备足够高的蒸汽压
除了淀积物质以外，反应产物必须是挥发性的
淀积物本身必须具有足够低的蒸汽压
薄膜沉积其实就4大步
（1）反应剂被携带气体引入反应器后，在衬底表面附近形成“滞留层”，然后，在主气流的反应剂越过边界层扩散到硅片表面
（2）反应剂被吸附在硅片表面，进行化学反应
（3）化学反应生成的固态物质（淀积物）在sub表面成核，生长成薄膜
（4）反映后的气相副产物，离开sub表面，扩散回边界层，随输运气体排除反应室
写了15分钟，够600字了。 |
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